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在职何功率转换器的设计中
，都必须幼化开关过程中的能量损耗。这种能量损耗能够使用示波器进行丈量。通常的做法是将同步采样的电压和电流相乘
，生成功率波形：

p(t) = v(t)*i(t)

由于功率波形代表随功夫变动的能量亏损
，因而能够通过对功率波形积分来确定能量：

E = ∫p(t)dt

为了使这些能量损耗丈量正确
，电流和电压波形的跃变必须在功夫上对齐。因而
，为了获得有意思的能量损耗丈量了局
，设计人员必须校对测试夹具和探头引入的分歧延长。

传统上
，探头的误差是在测试装置上起头任何丈量之前推算的。对于低压利用
，能够使用函数产生器和消偏适配器（Tektronix部件号P/N 067-1686-03）进行对齐。然而
，这种步骤对于高压和大电流畅用并非佳选择。

用传统步骤对齐更高功率
，低侧漏源电压 (V_DS) 和漏极电流 (I_D) 的丈量必要沉新布线测试装置。必须移除负载电感并用电阻包办。而后进行丈量
，并对齐V_DS和I_D丈量了局。这个过程可能必要一个幼时或更长功夫。

图1. 传统的消偏步骤涉及移除负载电感并用电阻包办。

泰克WBG-DPT解决规划选取业界初创的基于软件的消偏技术
，无需沉新布线
，并且在双脉冲丈量实现后执行。在该新步骤中
，采集漏极电流 (I_D) 并将其用作参考波形。在导通期间
，使用测试电路的参数化模型推算低侧V_DS对齐波形。该对齐波形以I_D波形为参考
，相对于I_D将拥有零误差。消偏算法确定推算得到的V_DS对齐波形与实测V_DS波形之间的误差
，而后
，它将误差校对利用于V_DS丈量通路。

图2.  选取新步骤
，消偏在测试后进行。参数在Deskew（消偏) 菜单中指定。

如上所述
，消偏能够在丈量实现后执行。用户能够启动双脉冲测试而无需不安V_DS和I_D之间的误差
，稍后在Deskew（消偏）设置当选择并提供以下参数：

■ 探头电阻 - 本文中如果为电流检测电阻 (CVR) 或分流电阻

■ 有效“环路”电感

■ 偏置电压（低侧FET关断时其两端的均匀V_DS）

■ 微分阶数（模型用于滑润处置的滤波器阶数）

图3.  用于构建V_{DS_low}对齐波形的等效电路。此电路如果使用电流检测电阻丈量I_D。

偏置电压和有效电感值能够自动确定。在Deskew菜单中输入的参数用于构建V_DS对齐波形。该波形是使用基尔霍夫电压定律构建的：

其中：

   V_DD - V_{DS_high}代表电源轨电压和高侧FET两端的压降。把稳
，在导通期间
，由于V_DD固定且V_{DS_high}是高侧FET体二极管两端的电压
，因而该值将维持恒定。

   R_shunt是电流分流电阻的阻值。

   I_D是凭据R_shunt两端的压降丈量得出的漏极电流。

   dI_D/d_t是测得的漏极电流变动率。

   L_eff是整个功率环路的有效电感。

在导通期间
，如上所述
，V_{DD -} V_{DS_high}将根基维持恒定。R_shunt和L_eff也是常量。这意味着建模的V_{DS_low}对齐波形是I_D的函数。

配置参数后
，用户按下WBG消偏按钮。系统会凭据指定的参数和漏极电流天生V_DS的数学模型。此对齐波形会显示在屏幕上。

图4.  由I_D推算得出的V_DS对齐波形与实测V_DS波形进行比力。误差 (Skew) 是对齐波形与实测波形之间的功夫差。一旦推算出来
，即可从I_D波形中去除该误差。

有效电感L_eff是一个“集总”元件
，它思考了如上所示的整个环路。因而
，L_eff通常是未知的
，必要迭代过程来确定其值。消偏过程能够轻松地沉复运行
，并且能够调整L_eff
，直到推算出的对齐波形和实测的V_DS波形拥有一样的状态。若是建模的V_DS对齐波形与实测的V_DS波形在状态上存在差距
，则能够调整参数并再次运行消偏。

一旦参数正确代表了系统
，建模的对齐波形将拥有一样的状态
，系统即可确定并校对误差。误差值会显示在Deskew (消偏) 设置中
，并自动利用于衔接V_DS信号的通路。

这个新过程能精确地推算误差
，并将消偏功夫从一幼时或更长功夫缩短到仅需5到10分钟。

借助WBG-DPT软件
，有效电感和偏置电压等电路参数能够自动确定。因而
，能够以更少的人为过问来推算误差值。